Ukrainian
Summary:На основі новітніх підходів фізики напівпровідників та сучасних методів дослідження структури речовини та її електронного спектра описано фізичні процеси у новому класі термоелектричних матеріалів – в інтерметалічних напівпровідниках. Обґрунтовано вперше поняття «локальна аморфізація кристала», яке ввели автори, сформульовано критерії розчинності атомів рідкісноземельних металів (R) у структурі сполуки ZrNiSn, визначено природу «апріорного легування» інтерметалічних напівпровідників. Детально описано запропонований метод оптимізації моделі кристалічної структури на основі результатів розрахунку електричного спектра і фізичних властивостей та умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності термоелектричних елементів на основі інтерметалічних напівпровідників.
Russian
Summary:На основе новейших подходов физики полупроводников и современных методов исследования структуры вещества и его электронного спектра описаны физические процессы в новом классе термоэлектрических материалов – в интерметаллических полупроводниках. Обоснованно впервые понятие «локальная аморфизация кристалла», которое ввели авторы, сформулированы критерии растворимости атомов редкоземельных металлов (R) в структуре соединения ZrNiSn, определены природу «априорного легирования» интерметаллических полупроводников. Подробно описан предложенный метод оптимизации модели кристаллической структуры на основе результатов расчета электрического спектра и физических свойств и условия получения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности термоэлектрических элементов на основе интерметаллических полупроводников.