Можливо, ви намагаєтесь звернутися до цього сайту із захищеного браузера на сервері. Увімкніть сценарії та перезавантажте сторінку.
Увімкнення більш доступного режиму
Вимкнення більш доступного режиму
Пропустити команди стрічки
Перейти до основного вмісту
Вимкнути анімацію
Увімкнути анімацію
Увійти
Конкурси
Премія Верховної Ради України молодим ученим (Премія Верховної Ради України найталановитішим молодим ученим в галузі фундаментальних і прикладних досліджень та науково-технічних розробок з 2008 по 2018 рр.)
Робота - переможець конкурсу
2016
року
Повідомлення
Конкурси
Ради, комітети, комісії
Доповіді на засіданнях Президії
Молоді вчені
Information
Робота - переможець конкурсу
Так
Так
5%,95%
Оптимізація технології напівпровідникових матеріалів фотоелектроніки з підвищеною радіаційною стійкістю
Під час отримання даних із data_mscrm_2016 сталася помилка. Додаткові відомості для адміністраторів наведено в журналі сервера.
Ідентифікатор взаємозв'язку:976399a1-f630-b0e1-a53c-9c7fcf115328
Метою роботи є оптимізація технологічних умов осадження легованих алюмінієм плівок ZnO та твердих розчинів (ZnOS, ZnCdO), структур з квантовими ямами (ZnO/ZnCdO/ZnO) та мікро- та наноструктур ZnO з покращеними оптичними та електричними властивостями та з підвищеною радіаційною стійкістю до дії деяких видів випромінювання для використання в приладах фотоелектороніки. Було проведено комплексне дослідження плівок та структур за допомогою сучасних високо-прецизійних експериментальних методів: рентгенівський фазовий аналіз, мікроскопія комбінаційного розсіяння світла, атомна силова мікроскопія, скануюча електронна мікроскопія, інфрачервона Фур’є та енергодисперсійна спектроскопії, вимірювання електричних, фотоелектричних, оптичних і люмінесцентних характеристик. Одержані параметри плівок ZnO:Al з електроопором 6·10 4 Ом·см і оптичним пропусканням 95 % знаходяться на рівні кращих світових результатів. Встановлено, що плівки ZnO, леговані малими концентраціями кадмію, є більш стійкими до впливу опромінення швидкими важкими іонами, порівняно із нелегованими плівками оксиду цинку. Розроблено метод вирощування мікро- та наноструктур ZnO, який використовує сонячне випромінювання для випаровування прекурсорів. Розкрито природу композиційної залежності ширини забороненої зони ZnO1-xSx, запропоновано механізми впливу умов вирощування на властивості плівок ZnO1-xSx та вивчено їх електронну структуру і квантово-механічну природу міжзонних оптичних переходів. В сонячних елементах на основі твердого розчину ZnO1-xSx та CIGS досягнуто коефіцієнт корисної дії на рівні 10 %. Отримані результати мають важливе практичне значення для розвитку в Україні науково-технічної бази нових пристроїв фотоелектроніки, зокрема в рамках пріоритетних напрямків розвитку науки і техніки «Нові матеріали і речовини» та «Енергетика та енергоефективність». Наукові публікації за темою роботи: 20 статей у вітчизняних та міжнародних фахових журналах з високим імпакт-фактором. Загальна кількість посилань на роботи авторів - 193 (згідно бази даних SCOPUS), h індекс - 8. Загальна кількість публікацій авторів - 188.
©
Центр практичної інформатики НАН України
, 2017