Ukrainian
Summary:Розглянуті питання одержання та дослідження гетеро структур з квантовими точкамиGe на під ложкахSi(100) таSi(111) методом молекулярно-променевої епітаксії. Викладено технологічні особливості епітаксійного росту та дослідження структури моно шарівSi1-xGex методом дифракції швидких електронів. Показано, що застосування проміжних шарівSi1-xGex дозволяє регулювати розміри і густину[⇒] розподілу квантових точок по поверхні підложки. Reading audience:Рекомендовано спеціалістам в галузі нанофізики та наноелектроніки, фізичної хімії поверхні і конденсованого стану, а також аспірантам і студентам відповідних спеціальностей.