Ukrainian
Summary:У монографії представлено дослідження систем TlСІІІX2—DIVX2, де (С — In, D — Sn, Si, Ge; X — S, Se). Отримані результати належать до фундаментальних у галузі напівпровідникового матеріалознавства й дадуть змогу розвинути технології синтезу, вирощування кристалів. Для виявлення реальних закономірностей зміни фізичних параметрів при катіонному та аніонному заміщенні проведені дослідження оптичних, електричних, фотоелектричних властивостей. Знаходження закономірностей, розуміння зв’язку між структурними змінами та поведінкою фізичних властивостей дає змогу розширити можливості цілеспрямованого синтезу матеріалів із заданими характеристиками.
English
Summary:The monograph presents the research on systems TlСІІІX2—DIVX2, where (С — In, D — Sn, Si, Ge; X — S, Se). The results are fundamental in the field of semiconductor material science and technology and will help to develop the synthesis, crystal growth. To identify the actual patterns of changes in the physical parameters for the cationic and anionic substitution the optical, electrical, photovoltaic properties are studied. The relationship between structural change and the behavior of the physical properties is established and it gives the ability to empower targeted synthesis of materials with desired characteristics