українська
Анотація:Систематизовані та узагальнені результати багаторічних оригінальних досліджень нанофотоелектроніки металічних кристалів, розглянуті найважливіші проблеми теорії фотоемісії й основні фізичні явища, що описують природу зовнішнього (УФ) фотоефекту, а також нові можливості його використання в потужнострумовій електроніці. Із цих позицій сформульовані фізико-хімічні принципи легування металів (Mg,Al,Cu) емісійно-активними добавками для радикального (на два–чотири порядки величини) підвищення їх низького квантового виходу фотоемісії в УФ області спектру. Створено новий клас фотоемісійних матеріалів на основі нанокластерізованих металевих систем сплавів з більш високою в порівнянні з металами щільністю станів поблизу рівня Фермі, у т. ч. з ефектом Кондо, та отримані об’ємні та плівкові фотокатоди з імпульсним лазерним (УФ) опроміненням на основі металів ІА, ІІА і ІІІВ підгруп. Вони призначені для фотоінжекторів ВЧ електронних гармат, нового покоління лінійних прискорювачів, електрон-позитронних колайдерів, НВЧ-електронних генераторів і лазерів на вільних електронах.Робота виконана в міждисциплінарній області нанофізики та наноелектроніки в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України та Міжнародному Центрі електронного матеріалознавства та прикладних проблем авіакосмічної техніки, International Center for Electronic Materials Science and Applied Problems of Aerospace Technology (ICEMS).