українська
Анотація:Книга "Досягнення в дослідженні фотодіодів" висвітлює сучасний стан, останні розробки та нові тенденції розвитку фотодіодів і охоплює теоретичні аспекти, проектування та моделювання, методи обробки, експериментальні результати та практичне використання. Книга розділена на три частини. Частина 1 включає п’ять розділів, які присвячені теоретичним аспектам та моделюванню фізичних процесів у фотодіодах. Частина 2 включає вісім розділів, у яких знайшли відображення останні досягнення у технології кремнієвих фотодіодів, в тому числі і КМОП-сумісних пристроїв. Частина 3 складається з дев’яти розділів, що стосуються нових розробок із застосуванням інших матеріалів, крім кремнію (наприклад, GaN, InAs, InGaAs, SiC та ін), які спрямовані на підвищення експлуатаційних характеристик та покращення виявлюваної здатності в ультрафіолетовому, інфрачервоному, терагерцовому і міліметрову діапазоні спектру.
англійська
Анотація:The book "Advances in Photodiodes" addresses the state-of-the-art, latest developments and new trends in the field, covering theoretical aspects, design and simulation issues, processing techniques, experimental results, and applications. The book is divided into three parts. Part 1 includes five chapters dealing with theoretical aspects, device modeling and simulations. Part 2 collects eight chapters describing recent developments in silicon photodiodes, including both CMOS-compatible devices. Part 3 includes nine chapters relevant to new developments involving technologies based on materials other than silicon (e.g., GaN, InAs, InGaAs, SiC, etc.), aimed at improved performance and extended wavelength detectivity into the ultraviolet, infrared, terahertz, and millimeter waves spectral regions.