українська
Анотація:Дана колективна монографія містить матеріал, який охоплює базові фізичні методи діагностики в мікро- та наноелектроніці: методи рентгенівської дифракційної діагностики напівпровідникових матеріалів і структур, які використовуються у виробництві НВІС та у ряді дискретних напівпровідникових приладів, а також напівпровідникових структур з квантовими точками, квантовими ямами і надгратками; методи електронної мікроскопії, Оже-електронної спектрометрії, РФЕС, ВІМС і зворотного резерфордівського розсіювання, а також ряд зондових методів в діагностиці контактної металізації і електрофізичних параметрів напівпровідникових матеріалів; теплофізичні методи в діагностиці мікрохвильових діодів і світодіодів.Значна увага приділена методам математичного моделювання механізмів струмопереносу в контактах метал–напівпровідник з високою щільністю дислокацій в приконтактній області напівпровідника і фізико-статистичному моделюванню відмов в задачах діагностики напівпровідникових приладів.
Читацька аудиторія:Для наукових співробітників та інженерів, які займаються фізичними методами діагностики у мікро- та наноелектроніці, а також широкому загалу фахівців в області фізики і технології НВІС і дискретних напівпровідникових приладів.
російська
Анотація:Настоящая коллективная монография содержит материал, охватывающий базовые физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике: методы рентгеновской дифракционной диагностики полупроводниковых материалов и структур, используемых в производстве СБИС и ряда дискретных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых структур с квантовыми точками, квантовыми ямами и сверхрешетками; методы электронной микроскопии, Оже-электронной спектрометрии, РФЭС, ВИМС и обратного резерфордовского рассеяния, а также ряд зондовых методов в диагностике контактной металлизации и электрофизических параметров полупроводниковых материалов; теплофизические методы в диагностике микроволновых диодов и светодиодов. Значительное внимание уделено методам математического моделирования механизмов токопереноса в контактах металл–полупроводник с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника и физико-статистическому моделированию отказов в задачах диагностики полупроводниковых приборов.
Читацька аудиторія:Для научных работников и инженеров, занимающихся физическими методами аправлення в микро- и наноэлектронике, а также широкому кругу специалистов в области физики и технологии СБИС и дискретных полупроводниковых приборов.