російська
Анотація:В монографии представлены результаты исследования особенностей изменений кинетических коэффициентов под воздействием облучения, направленной упругой деформации и разных режимов термообработки монокристаллов кремния и германия; проведен анализ влияния примесей технологического происхождения на образование электрически-активных комплексов; изучены пути обеспечения стабильности параметров полупроводниковых систем по отношению к эффективным внешним воздействиям; выяснена роль как плавных (соизмеримых с размерами исследуемых кристаллов), так и высокоградиентных неоднородностей нанообъектов; предложена методология определения параметров с повышенной чувствительностью к остаточным неоднородностям в полупроводниках.
Читацька аудиторія:Монография предназначена для научных сотрудников и специалистов в области полупроводникового материаловедения и радиационной физики.
англійська
Анотація:The book presents the results of studies of the change features in the kinetic coefficients under irradiation, directed elastic deformation and various regimes of heat treatment of the silicon and germanium single crystals; the analysis of the influence of technological origin impurities on the formation of electrically active complexes has been carried out; the ways to ensure the stability of the parameters of semiconductor systems with respect to the effective external influences have been studied; the role both the smooth (commensurable with the sizes of the studied crystals) and the high-gradient inhomogeneities of the nano-objects has been found out; the methodology for determining of the parameters with hypersensitivity to the residual inhomogeneities in semiconductors has been proposed.
Читацька аудиторія:The book is intended for scientists and specialists in the field of semiconductor material science and radiation physics.