українська
Анотація:У посібнику викладено основи сучасних методів структурної діагностики напівпровідникових кристалів та багатошарових гетероструктур. Даються коротко основи теорії розсіяння рентгенівських променів та більш детально методи багатовісьової багатокристальної дифрактометрії та їх можливості на прикладах конкретних гетероструктур. На прикладі картографування оберненого простору з використанням дозволених і квазізаборонених рефлексів визначено структурні параметри епітаксійних плівок GaN, зокрема кут повороту мозаїчних блоків та густини крайових дислокацій. Наведено приклади використання методів рентгенівської топографії в дослідженні напівпровідникових матеріалів.
англійська
Анотація:The manual outlines the foundations of modern methods of structural diagnostics of semiconductor crystals and multilayered heterostructures. Briefly given a basis for the theory of scattering of X-rays and more detailed methods of multшcrystal diffractometry and their possibilities on examples of specific heterostructures. By way of reciprocal space mapping using the structure and quasi-forbidden reflexes, their structural parameters of GaN epitaxial films, in particular the angle of rotation of the mosaic blocks and the density of edge dislocations, are determined. Examples of using X-ray topography methods in investigatшщт ща еру semiconductor materials are given.