українська
Анотація:Викладено теоретичні і експериментальні результати з використання ряду силіцидів, нітридів і бориду тугоплавких металів в технології формування контактів для напівпровідникових приладів і СБІС. Автори, спираючись на власні дослідження і літературні дані, на конкретних прикладах показують перспективність використання фаз впровадження (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для створення контактів до широкозонних напівпровідників (GAP, SIC, GAN). Значне місце в монографії приділене застосуванню силіцидів в технології СБІС і для формування омічних контактів до карбіду кремнію, а також міжфазних взаємодій в багатошарових контактних системах до Si, GaAs і INP-приладовим структурам.
Читацька аудиторія:Монографія розрахована на широкий круг фахівців в області фізики і технології напівпровідникових приладів, а також студентів і аспірантів відповідних спеціальностей.
російська
Анотація:Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полупроводникам (GaP, SiC, GaN). Значительное место в монографии уделено применению силицидов в технологии СБИС и для формирования омических контактов к карбиду кремния, а также межфазным взаимодействиям в многослойных контактных системах к Si, GaAs и InP приборным структурам.
Читацька аудиторія:Монография рассчитана на широкий круг специалистов в области физики и технологии полупроводниковых приборов, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.