українська
Анотація:У монографії розглянуто вплив різних дефектів кристалічної ґратки (плавні просторові розподіли питомого опору в кристалах, шаруваті періодичні неоднорідності, дефекти радіаційного походження) на кінетичні, оптичні, люмінесцентні явища, що розвиваються в напівпровідникових об’єктах. Обговорено особливості впливу на кристали силіцію і германію β-, γ-, протонного і нейтронного опромінення, а також іонної імплантації в об’ємні напівпровідники і тонкі плівки. Досліджено радіаційну стійкість силіцію n- і р-типу, вирощеного і легованого різними методами, та з’ясовано можливості її підвищення. Теоретично описано відпал основних радіаційних дефектів у силіції (А-центрів, Е-центрів, дивакансій та ін.) на базі експериментальних даних. Визначено параметри, які характеризують цей процес (енергії активації і частотні фактори), а також запропоновано різні механізми і реакції, за якими відбуваються процеси відпалу дефектів. Наведено фізичне обгрунтування методів вимірювання найважливіших параметрів напівпровідникових кристалів, а також розглянуто методи рентгенівської дифракційної діагностики напівпровідникових кристалів та гетероструктур.
Читацька аудиторія:Для наукових працівників і фахівців у галузі радіаційної фізики та напівпровідникового матеріалознавства, а також для читачів, які бажають поглибити та структурувати знання в галузі X-променевої дифракції.
російська
Анотація:В монографии рассмотрено влияние различных дефектов кристаллической решетки (плавные пространственные распределения удельного сопротивления в кристаллах, слоистые периодические неоднородности, дефекты радиационного происхождения) на кинетические, оптические, люминесцентные явления, развивающиеся в полупроводниковых объектах. Обсуждены особенности влияния на кристаллы кремния и германия β-, γ-, протонного и нейтронного облучения, а также ионной имплантации в объемные полупроводники и тонкие пленки. Исследована радиационная стойкость кремния n-и р-типа, выращенного и легированного различными методами, и выяснены возможности ее повышения. Теоретически описан отжиг основных радиационных дефектов в Силиции (А-центров, Е-центров, дивакансий и др.) на базе экспериментальных данных. Определены параметры, характеризующие этот процесс (энергии активации и частотные факторы), а также предложены различные механизмы и реакции, по которым происходят процессы отжига дефектов. Приведено физическое обоснование методов измерения важнейших параметров полупроводниковых кристаллов, а также рассмотрены методы рентгеновской дифракционной диагностики полупроводниковых кристаллов и гетероструктур.
Читацька аудиторія:Для научных работников и специалистов в области радиационной физики и полупроводникового материаловедения, а также для читателей, желающих углубить и структурировать знания в области X-лучевой дифракции.