Проєкт запланованої роботи присвячений дослідженню над’яскравих світлодіодних структур на основі InGaN з квантовими ямами, вирощених за новітніми технологіями, які знайшли широке застосування передовсім у оптоелектронній галузі мікроелектронної техніки, системах керування, обробки і зберігання інформації на промислових об’єктах, транспорті, а також у побуті. Спектральна широта області їхнього застосування – від видимого діапазону до ультрафіолетового, що робить їх універсальними джерелами для оптоелектроніки. Подальше підвищення ефективності згаданих випромінювачів грунтується на одержанні та уточненні інформації про механізми свічення та вплив факторів, які перешкоджають підвищенню квантового виходу.
Дослідження радіаційної стійкості їхніх активних елементів – одна зі складових забезпечення надійності експлуатації згаданих вище надпотужних джерел проникного випромінювання. Використання проникної радіації з метою контрольованого введення дефектів структури у досліджувані об’єкти може сприяти з’ясуванню їхньої ролі у механізмі деградації характеристик приладів. Значну увагу буде приділено одержанню даних стосовно ймовірної природи виникнення ВДО S-типу на ВАХ досліджуваних об’єктів та визначення ролі тунельної складової через бар’єрні шари у структурі InGaN/GaN та впливу радіаційних дефектів на балістичний транспорт носіїв.
Важливим завданням буде одержання констант радіаційного пошкодження часу життя носіїв k для різних видів частинок – γ-кобальт-60, електронів 2 МеВ та нейтронів реактора. Одержані результати нададуть можливість застосувати проникну радіацію як інструмент для цілеспрямованої зміни характеристик світлодіодів – уніфікації параметрів, підвищення швидкодії, зменшення струмів обтікання, встановлення границь експлуатаційного ресурсу опто-електронних модулів, збільшення електричної міцності діодів. Застосування комбінованої обробки акусто-термічної, акусто-інжекційної, інжекційно-термічної перспективне з метою відновлення деградованих зразків.