Метою даної роботи є дослідження електронної структури та оптичних властивостей халькогенідів із загальною формулою Tl2HgCSe4 (C = Si, Ge, Sn), а також зміни енергетичного розподілу електронних станів в межах валентної смуги при ізоморфних заміщеннях атомів одного сорту атомами іншого сорту. Планується визначити енергетичний розподіл повної та парціальних щільностей електронних станів у валентній зоні та зоні провідності сполук Tl2HgCSe4 на основі теоретичних розрахунків «із перших принципів». Крім того, необхідно якісно дослідити фізико-хімічні тенденції зміни електронних та оптичних властивостей в залежності від кристалічної структури та аніонного числа групи VI. Дана робота є продовженням дослідження електронної структури і оптичних властивостей сполук типу А2BCX4 (А = Cu, Ag; B =Zn, Cd, Hg; C = Ge, Sn; X = S, Se, Te). Результати роботи дозволять значно розширити області застосування халькогенідних напівпровідників, зокрема, в якості матеріалів для реєстрації іонізуючого випромінювання та в оптоелектроніці.