Пропустити команди стрічки
Перейти до основного вмісту
Увійти
Scientific Publications and Publishing Activity of NAS of Ukraine
Books
Солнечные элементы на основе кристаллического кремния

Book

Ukrainian
Summary:Проведено огляд джерел вітчизняної та зарубіжної преси, присвячених сучасному технічному стану, основним напрямкам розробки та перспектив використання сонячних елементів (СЕ) на основі кристалічного кремнію. Були розглянуті фізичні основи та основні характеристики роботи СЕ діодного типу. Виконано аналіз різних факторів, що знижують коефіцієнт корисної дії (ККД) СЕ:[⇒] рекомбінаційні втрати; термалізація гарячих носіїв заряду; поглинання низькоенергетичних фотонів; омічні втрати; неповний збір носіїв заряду; втрати на затінення і відбиття падаючого випромінювання; вплив домішкових елементів. Викладено методи подолання негативного впливу зазначених факторів на ККД СЕ: зменшення оптичних втрат на відбиття; створення оптичних систем захоплення світла; високоякісна пасивація поверхні; максимальне зменшення площі контактів; зниження концентрації неосновних носіїв в об'ємі напівпровідника і локальних приконтактних областях. Показано переваги і недоліки різних конструкцій кремнієвих СЕ. Розглянута технологія виготовлення СЕ на основі тонких пластин з моно-, полі- і мультикристалічного Si. Зроблено висновок про те, що в СЕ на основі кристалічного кремнію вже досягнутий граничний ККД, і головним гальмом на шляху розвитку сонячної енергетики є висока вартість отримання кремнію сонячної якості.
Russian
Summary:Проведен обзор по источникам отечественной и зарубежной печати, посвященным современному техническому состоянию, основным направлениям разработки и перспектив использования солнечных элементов (СЭ) на основе кристаллического кремния. Были рассмотрены физические основы и основные характеристики работы СЭ диодного типа. Выполнен анализ различных факторов, снижающих коэффициент[⇒] полезного действия (КПД) СЭ: рекомбинационные потери; термализация горячих носителей заряда; поглощение низкоэнергетичных фотонов; омические потери; неполный сбор носителей заряда; потери на затенение и отражение падающего излучения; влияние примесных элементов. Изложены методы преодоления негативного воздействия указанных факторов на КПД СЭ: уменьшение оптических потерь на отражение; создание оптических систем захвата света; высококачественная пассивация поверхности; максимальное уменьшение площади контактов; понижение концентрации неосновных носителей в объеме полупроводника и в локальных приконтактных областях. Показаны преимущества и недостатки различных конструкций кремниевых СЭ. Рассмотрена технология изготовления СЭ на основе тонких пластин из моно-, поли- и мультикристаллического Si. Сделан вывод о том, что в СЭ на основе кристаллического кремния уже достигнут предельный КПД и главным тормозом на пути развития солнечной энергетики является высокая стоимость получения кремния солнечного качества.
Type of publication: Monographs
Rubric: Physics
Author(s): А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун
Where and by whom is issued: Харьков
Year: 2014
Scope: 50 с. (Усл. печ. л. 3,1)
Circulation: 100
Елементи для відображення відсутні.
© Інститут програмних систем НАН України , 2023