Ukrainian
Summary:Монографія присвячена останнім теоретичним дослідженням впливу доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графенового каналу. Розглянутий аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графена-на-сегнетоелектрику, з урахуванням адсорбованих дипольних шарів на вільній поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Аналізуються аспекти нещодавно розвинутої теорії провідності р-n переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуті випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Обговорюється вплив розмірних ефектів у таких системах та можливість використання результатів для вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки.Ключові слова: графен-на-сегнетоелектрику, доменна структура, провідність, польовий транзистор.
English
Summary:This book is devoted to the recent theoretical studies of the impact of domain structure of ferroelectric substrate on graphene conductance. An analytical description of the hysteresis memory effect in a field effect transistor based on graphene-on-ferroelectric, taking into account absorbed dipole layers on the free surface of graphene and localized states on its interfaces is considered. The aspects of the recently developed theory of p-n junctions conductivity in a graphene channel on a ferroelectric substrate, which are created by a 180-degree ferroelectric domain structure, are analyzed, and cases of different current regimes from ballistic to diffusion one are considered.The influence of size effects in such systems and the possibility of using the results for improving the characteristics of field effect transistors with a graphene channel, non-volatile ferroelectric memory cells with random access, sensors, as well as for miniaturization of various devices of functional nanoelectronics are discussed. Keywords: graphene-on-ferroelectric, domain structure, conductance, field effect transistor.