28 жовтня 2022 року відбувся робочий візит Президента НАН України академіка Анатолія Загороднього і віцепрезидента НАН України, голови Секції фізико-технічних і математичних наук НАН України академіка Вячеслава Богданова до Інституту фізики напівпровідників (ІФН) ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
 Під час перегляду презентації про здобутки ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.Зліва направо: академік-секретар Відділення фізики і астрономії НАН України академік Вадим Локтєв, віцепрезидент НАН України академік Вячеслав Богданов, Президент НАН України академік Анатолій Загородній, виконувач обов’язків заступника директора ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України академік Олександр Бєляєв |
У межах візиту делегацію Академії ознайомили з найвагомішими науковими здобутками Інституту за останні роки, його оновленою структурою, співпрацею з виробничими підприємствами. Було продемонстровано унікальні розробки Інституту: детонаційний метод нанесення захисних покриттів; сенсор диму, не чутливий до пилу; високочутливий сенсор урану; високоякісний датчик тиску; серію сенсорних елементів і приладів газової та рідинної адсорбційної електроніки й молекулярної плазмоніки на основі явища плазмон-поляритонного поверхневого резонансу; мобільну фотоелектричну зарядну станцію власної розробки; інтелектуальну систему дистанційної охорони периметру; конкурентоздатні висококласні інфрачервоні фотодетектори власного виробництва. Делегація НАН України та керівництво ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України обговорили стан напівпровідникової мікроелектронної промисловості в Україні, шляхи її розвитку й напрями наукових досліджень Інституту.
 Під час відвідин комплексу мас-спекрометричного аналізу та Х-променевої фотоелектронної спектроскопії.Зліва направо: завідувач відділу йонно-променевої інженерії і структурного аналізу ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України доктор фізико-математичних наук Борис Романюк, Президент НАН України академік Анатолій Загородній, віцепрезидент НАН України академік Вячеслав Богданов |
Керівництво Академії відзначило високі досягнення Інституту і запевнило у всебічному сприянні розвиткові мікроелектронної складової наукових досліджень і розробок.
 Академік Олександр Бєляєв демонструє гостям унікальні розробки Інституту |
Під час зустрічей з дирекцією та колективом наукової установи обговорювалися питання роботи в умовах воєнного стану, фінансового забезпечення, поповнення Інституту молодими кадрами, ситуацію із захистами кандидатських і докторських дисертацій та шляхи розвитку Інституту в напрямі інтеграції з європейським науковим простором і співпраці з провідними науковими установами розвинених країн.
 Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі.Зліва направо: завідувач відділу оптоелектроніки ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України доктор фізико-математичних наук Борис Снопок, виконувач обов’язків заступника директора з наукової роботи Інституту кандидат фізико-математичних наук Сергій Мамикін, виконувач обов’язків директора Інституту доктор фізико-математичних наук Віктор Мельник, академік-секретар Відділення фізики і астрономії НАН України академік Вадим Локтєв, віцепрезидент НАН України академік Вячеслав Богданов, Президент НАН України академік Анатолій Загородній |
 Центр колективного користування ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України |
 Технологічна кімната ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України |
За інформацією Відділення фізики і астрономії НАН України