українська
Анотація:В монографії розглянуті фізико-технологічні аспекти взаємодії НВЧ випромінювання з напівпровідниковими матеріалами та приладовими структурами на їх основі. Показано вплив активних обробок (НВЧ обробка,g-опромінювання60Со і швидкий термічний відпал) на процеси структурної релаксації в контактах TiB2-GaAs (InP,GaP,SiC). Проаналізовані особливості впливу НВЧig-випромiнювання60Со на електричнi характеристики резонансно-тунельних дiодiв на основi гетеропереходiвAlGaAs-GaAsi арсенiдгалiєвих тунельних дiодiв зd-шаром в областi просторового заряду. Наведенi експериментальнi данi з впливу НВЧ випромiнювання на модифiкацiю дефектiв в структурахSiO2-GaAs (SiC).Розглянутi стимульованi НВЧ випромiнюванням ефекти в системах нанокристалiчний кремнiй-кремнiй. Значне мiсце вiдведено ефектам, викликаним НВЧ ig-опромiненням60Со в структурахTa2O5-Si, в залежностi вiд умов формуванняTa2O5.
Читацька аудиторія:Монографiя призначена для наукових працiвникiв i розробникiв НВЧ приладiв. Вона може бути корисною також аспiрантам і студентам вищих навчальних закладівiв, якi навчаються за відповiдними спецiальностями.
англійська
Анотація:The monograph deals with physic-technological aspects of interaction of microwave radiation with semiconductor materials and device structures made on their basis The effect of active actions (microwave treatment,60Соg-irradiation and rapid thermal annealing) on the processes of structural relaxation in theTiB2-GaAs (InP, GaP, SiC) contacts is considered. An analysis is made of the features of the effect of microwave and60Соg-irradiation on the electrical characteristics of resonant tunneling diodes made on the basis of AlGaAs-GaAs heterojunctions, as well as gallium arsenide tunnel diodes with ad-layer in the space-charge region. The experimental data on the effect of microwave radiation on defect modification in the SiO2-GaAs (SiC) structures are presented. The effects in the nanocrycrystalline silicon-silicon systems induced by microwave radiation are considered. Much space is given to the to the effects produced by microwave and60Соg-irradiation in the Ta2O5-Si structures, depending on the conditions of the Ta2O5formation.
Читацька аудиторія:The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to port-graduates and undergraduates specializing in the corresponding areas.