Анотації та інше

Проаналізовано фононні і електронні спектри нано-плівок і нанотрубок графена з дефектами. Розраховані електронні та фононні локальні густини станів графена з ізольованими вакансіями і групами вакансій найближчих сусідів. Розглянуто різні геометрії границь графена і крайові дефекти на металевому бі- та триграфені. Доведена динамічна пласка стійкість розглянутої структури для температур вище кімнатної. Для атомів поблизу дефекту показана сильна гетерогенність поведінки електронних та фононних локальних густин станів поблизу рівня Фермі.

Phonon and electron spectra of graphene nano-films and nanotubes with defects are analyzed. The electron and phonon local densities of states (LDOS) are calculated for graphene with isolated vacancies and group of nearest-neighbor vacancies. Different geometries of graphene boundaries and step-edge imperfections on metallic bi- and trigraphene are considered. The dynamic planar stability of the considered structure is proved for temperatures above the ambient. A strong heterogeneity of behavior of electron and phonon LDOS near Fermi level is demonstrated for atoms near defect.

Проаналізовано фононні і електронні спектри нано-плівок і нанотрубок графена з дефектами. Розраховані електронні та фононні локальні густини станів графена з ізольованими вакансіями і групами вакансій найближчих сусідів. Розглянуто різні геометрії границь графена і крайові дефекти на металевому бі- та триграфені. Доведена динамічна пласка стійкість розглянутої структури для температур вище кімнатної. Для атомів поблизу дефекту показана сильна гетерогенність поведінки електронних та фононних локальних густин станів поблизу рівня Фермі.

Phonon and electron spectra of graphene nano-films and nanotubes with defects are analyzed. The electron and phonon local densities of states (LDOS) are calculated for graphene with isolated vacancies and group of nearest-neighbor vacancies. Different geometries of graphene boundaries and step-edge imperfections on metallic bi- and trigraphene are considered. The dynamic planar stability of the considered structure is proved for temperatures above the ambient. A strong heterogeneity of behavior of electron and phonon LDOS near Fermi level is demonstrated for atoms near defect.